L'ISO 23812:2009 spécifie un mode opératoire permettant l'étalonnage de l'échelle de profondeur dans une région de faible profondeur, inférieure à 50 nm, lors du profilage en profondeur SIMS à l'aide de matériaux de référence à couches delta multiples.

Elle ne s'applique pas à la région transitoire superficielle où la vitesse de pulvérisation n'est pas en régime permanent.

Elle s'applique au silicium monocristallin, au silicium polycristallin et au silicium amorphe.